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电池保护mos,20v85a,3302场效应管,KIA3302AD参数-KIA MOS管
KNP1906A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流85A，采用先进沟槽工艺，实现优异的导通电阻(RDS,ON)、低栅极电荷及2.5V低栅极电压工作特性；具有极低导通电阻RDS(开启) 3.9mΩ，最大限度地减少导电损耗；高功率与大电流承载能力，高效稳定、无铅产品认证，优质环保...www.kiaic.com/article/detail/5973.html 2025-10-16
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开关电源过温保护,过温保护电路原理-KIA MOS管
当温度继电器K104所检测的温度低于80±5℃时，其触点保持吸合状态，此时HOT与PROTECT信号均呈现低电平，从而确保电源模块能够正常运行。然而，一旦检测点的温度升至80±5℃，温度继电器的触点便会断开，导致HOT与PROTECT信号转为高电平。这一变化会触发...www.kiaic.com/article/detail/5972.html 2025-10-16
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二极管封装尺寸对照表,二极管封装尺寸图-KIA MOS管
SOD-123：长2.70mm×宽1.60mm×高1.10mm，常用于中等功率二极管。SOD-323：长1.70mm×宽1.30mm×高1.00mm，适用于紧凑型设计。SOD-523：长1.20mm×宽0.80mm×高0.60mm，用于超小电流二极管如1N4148。www.kiaic.com/article/detail/5971.html 2025-10-16
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2n65场效应管,650v2a,to252,KIA2N65HD参数引脚图-KIA MOS管
KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，最大限度地减少损耗；具有低栅极电荷（典型值6.5nC）...www.kiaic.com/article/detail/5970.html 2025-10-15
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5v充电器电路图,开关电源电路-KIA MOS管
接通电源后，C1会有300V左右的直流电压，通过R2给Q1的基极提供电流，Q1的发射极有R1电流检测电阻R1，Q1基极得电后，会经过T1的（3、4）产生集电极电流，并同时在T1的（5、6）（1、2）上产生感应电压，这两个次级绝缘的圈数相同的线圈，其中T1（1、2）输出由D7整...www.kiaic.com/article/detail/5969.html 2025-10-15
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5v开关电源电路图,5v开关电路分享-KIA MOS管
白天在较强光照下，光导管227A（一种光敏电阻）两端阻值很小，约20~50kΩ;，晶体管VT2获得基极电流而导通，VT1从R2上得到正偏电压也导通，继电器线圈KA得电，继电器的常闭触电②、③断开，两只晶闸管V1和V2没有触发信号而不导通，因而灯泡EL不亮。www.kiaic.com/article/detail/5968.html 2025-10-15
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2n60场效应管参数引脚图,600v2a,KIA2N60HP-KIA MOS管
KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切换能力，高效低耗；指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；专为高压、高速的功率开关应用而设计，例如...www.kiaic.com/article/detail/5967.html 2025-10-14
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sma smb smc封装尺寸及封装区别-KIA MOS管
SMA封装（DO-214AC）尺寸4.5×2.5mm，引脚间距1.27mm，高度仅1.1mm，采用扁平矩形结构，引脚呈鸥翼型（J形）。2. SMB封装（DO-214AA）尺寸4.5×3.5mm，引脚间距1.27mm，高度1.5mm，封装体积比SMA大30%。www.kiaic.com/article/detail/5966.html 2025-10-14
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贴片mos管引脚图,贴片mos管引脚定义-KIA MOS管
表面贴装式是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）等。www.kiaic.com/article/detail/5965.html 2025-10-14
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100n03场效应管参数,30v90a,KIA100N03AD参数-KIA MOS管
KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术制造，极低?RDS(on)=3.3mΩ，最小化通态电阻，提供了优越的开关性能；100n03场效应管?在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，具有增强的dv/dt能力、快速切换等特性，...www.kiaic.com/article/detail/5964.html 2025-10-13
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24v开关电源电路,24v电路原理图-KIA MOS管
AC220V电源经共模滤波器L1引入，能较好抑制从电网进入的和从电源本身向辐射的高频干扰，交流电压经桥式整流电路、电容C4滤波成为约280V的不稳定直流电压，作为由振荡芯片U1、开关管Q1、开关变压器T1及其它元件组成的逆变电路。www.kiaic.com/article/detail/5963.html 2025-10-13
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tl494逆变器电路图,tl494开关电源电路-KIA MOS管
它激式变换部分采用TL494，VT1、VT2、VD3、VD4构成灌电流驱动电路，驱动两路各两只60V/30A的MOSFET开关管。如需提高输出功率，每路可采用3～4只开关管并联应用，电路不变。www.kiaic.com/article/detail/5962.html 2025-10-13
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6a600v,06tb60快恢复二极管,KIA06TB60DD参数-KIA MOS管
KIA06TB60DD快恢复二极管具有快速响应特性，开关特性好、反向恢复时间短；当外加电压由低变高时，导通和关断时间很短，约在纳秒级水平，用于开关电源、逆变器和续流二极管。KIA06TB60DD具有以下特点：高效、低VF、高电流能力、高可靠性、高浪涌电流能力、低功率...www.kiaic.com/article/detail/5961.html 2025-10-11
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光电传感器电路图,原理详解-KIA MOS管
光电对管U1、电阻R1、电阻R2构成发射接收电路；比较器U2A、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6构成反相输入的滞回比较器；比较器U2B、电阻R7、电阻R8构成反相器；发光二极管D1、电阻R9构成输出电路。www.kiaic.com/article/detail/5960.html 2025-10-11